Ангстрем: 2ПЕ2хххх

Продукт

Разработчики:	Ангстрем
Дата премьеры системы:	2016/06/30
Технологии:	Процессоры

2ПЕ2хххх - серия транзисторов, стойких к воздействию факторов космического пространства.

30 июня 2016 года компания ОАО «Ангстрем» сообщила о создании по заказу ОАО «Российские космические системы» (Роскосмос) двух типов транзисторов - 2ПЕ206А9 и 2ПЕ207А9.

Как сообщила пресс-служба компании, сложная ситуация в промышленности РФ в 90-х годах привела необходимости использования для создания космических аппаратов большого количества зарубежной электронной компонентной базы (ЭКБ), зачастую коммерческого уровня.

Транзистор 2ПЕ206А9, (2016)

После ряда инцидентов, российские власти приняли решение о запрете отправки в космос изделий, ЭКБ которых не является стойкой к воздействию ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц).

В 2012 году «Роскомос» поручил ОАО «Ангстрем» разработать первые в России серии транзисторов, которые позволяют создавать аппаратуру для работы в околоземном пространстве или в сложных условиях на Земле.

В 2014 году появилось первое поколение российских транзисторов серии 2ПЕ203, 2ПЕ204 с напряжением от 30 В до 100 В стойких к воздействию ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ*см²/мг.

В 2016 году были проведены испытания опытных образцов 2-го поколения транзисторов стойких к воздействию ТЗЧ:

2ПЕ206А9 с сопротивлением не более 50 мОм и максимальным напряжением 140 В при воздействии ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ*см2/мг,
2ПЕ207А9 с сопротивлением не более 200 мОм и максимальным напряжением 200 В при воздействии ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ*см2/мг.

Транзисторы, кроме стойкости к ТЗЧ, имеют малый заряд затвора и низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии, что позволит увеличить КПД (коэффициент полезного действия) бортовых источников питания. Разработка позволит повысить качество обработки информации, передаваемой с различных спутников на Землю. Завершение ОКР и включение транзисторов в перечень ЭКБ запланировано на ноябрь 2016 года.

Эти транзисторы должны заменить иностранные аналоги. Таким образом мы получим независимость отечественной космической программы от зарубежных производителей. А в скором времени мы должны закончить разработку еще более совершенных изделий, стойких к ТЗЧ транзисторов 3-го и 4-го поколений, которые будут превосходить импортные и потеснят их на международном рынке.

Татьяна Крицкая, руководитель направления разработки силовой электроники ОАО «Ангстрем»