Микрон Trench MOSFET Продукция для силовой электроники

2024: Включение в реестры российской промышленной и радиоэлектронной продукции

«Микрон» 11 июня 2024 года сообщил о включении в Реестр российской промышленной продукции (ПП РФ 719) и Единый реестр российской радиоэлектронной продукции (ПП РФ 878) линейки изделий по технологии Trench MOSFET: транзисторов 4N20 (№10539092), 3N20 (№10539091), MIK8205 (№10539093).

𝓲

Микрон

Линейка Trench MOSFET предназначена для использования в автомобильной электронике в схемах управления антиблокировочными системами и подушками безопасности, в схемах защиты литий-ионных батарей, построении высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей.

Изделия разработаны и освоены в серийном производстве заводом Микрон при поддержке Минпромторга России с частичным финансированием из средств федерального бюджета согласно Постановлению правительства РФ от 17.02.2016 № 109 "Об утверждении Правил предоставления из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение части затрат на создание научно-технического задела по разработке базовых технологий производства приоритетных электронных компонентов и радиоэлектронной аппаратуры".

В серийном производстве Микрона освоено на июнь 2024 года 10 изделий силовой электроники по технологии Trench MOSFET. Разработка и производство локализованы в России при поддержке Минпромторга. Для отечественных прибористов – важный шаг в повышении импортозависимости, - сообщила Гульнара Хасьянова, генеральный директор АО «Микрон».

Полная локализация производства на территории РФ подтверждена экспертизой Московской торгово-промышленной палаты (МТПП) и является необходимым условием включения в реестр российской промышленной продукции.

2021: Запуск серийного производства компонентов для управления питанием в электронике промышленного назначения

ГК «Микрон» (Резидент особой экономической зоны «Технополис Москва») 29 ноября 2021 года сообщил о запуске в серийное производство компонентов для управления питанием в электронике промышленного назначения. Продукция имеет высокий экспортный потенциал, компания уже получила первые заказы от иностранных предприятий. Об этом рассказал руководитель Департамента инвестиционной и промышленной политики Москвы Александр Прохоров.

Trench MOSFET транзисторы, выпуск которых наладили в ОЭЗ, применяются в силовой электронике: в автоэлектронике, генераторах, источниках вторичного питания, контроллерах двигателей, светотехнике, промышленной электронике, телекоммуникационном оборудовании, энергетике.

«Группа компаний «Микрон» с 2015 года является одним из ключевых резидентов ОЭЗ в составе кластера микроэлектроники. Ежегодно компания выпускает до четырех миллиардов чипов, радиочастотных меток, микроконтроллеров и других изделий. Часть продукции уходит на экспорт. Вновь запущенное серийное производство отвечает всем запросам мирового рынка и позволяет значительно нарастить экспорт столичной микроэлектроники», – рассказал Александр Прохоров.

Руководитель ведомства отметил, что развитию производств резидентов ОЭЗ способствуют различные преференции. Так, например, ГК «Микрон», наряду с другими резидентами доступна льготная ставка налога на прибыль, которая составляет 2 процента.

Полный цикл производства транзисторов реализован на собственных производственных площадях «Микрона».

«Мощности «Микрона», размещенные в ОЭЗ Москвы с развитой инфраструктурой и логистикой, позволят выпускать более 50 миллионов транзисторов в год. Серийное производство по данной технологии компания освоила впервые. Стоит отметить, что транзисторы будут востребованы не только на зарубежных рынках – они позволят обеспечить импортозамещение в сфере силовой электроники в России», – рассказал генеральный директор ОЭЗ «Технополис "Москва"» Геннадий Дёгтев.

Транзисторы, освоенные «Микроном» в серийном производстве по технологии Trench MOSFET с шагом ячейки 1 мкм на кремниевых пластинах диаметром 200мм – один из самых распространенных электронных компонентов на мировом рынке.

«Микроном» освоен в серийном производстве сдвоенный N-канальный транзистор с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В. Идет освоение других типономиналов по этой технологии, а также оптимизация техпроцесса для скорейшего вывода на рынок новых востребованных продуктов по доступным ценам.

«Технология Trench MOSFET позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, что открывает очень широкие возможности применения в любых приборах и устройствах силовой электроники. В частности, для управления двигателями, построения высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей. Первые заказы мы получили от партнеров из Юго-Восточной Азии. Портфель заказов почти полностью сформирован из экспортных контрактов», – пояснила директор по развитию производства АО «Микрон» Ирина Коротова.

Ранее в 2021 году «Микрон» выпустил экспериментальную партию отечественного микроконтроллера на открытой архитектуре, который позволит при производстве устройств и приборов снизить зависимость от иностранной компонентной базы и лицензий.