| Разработчики: | Samsung Electronics |
| Дата премьеры системы: | февраль 2024 г. |
| Отрасли: | Электротехника и микроэлектроника |
2024: Анонс продукта
27 февраля 2024 года компания Samsung анонсировала память с высокой пропускной способностью HBM3E нового поколения, которая предназначена для использования в системах искусственного интеллекта. Изделия, как утверждается, более чем на 50% превосходят ранее выпущенные аналогичные продукты по скорости передачи данных и емкости.
Представлены чипы HBM3E 12H DRAM, которые выполнены в виде 12-ярусных стеков общим объемом 36 Гбайт. Пропускная способность достигает 1280 Гбайт/с, что, по заявлениям Samsung, примерно в полтора раза больше по сравнению с доступными на коммерческом рынке 8-слойными чипами стандарта HBM3.
При производстве HBM3E 12H DRAM компания Samsung использует технологию термокомпрессии в комплексе с диэлектрической пленкой. Благодаря такой методике 12-слойные изделия имеют такую же высоту, что и 8-слойные. Кроме того, южнокорейский производитель добился наименьшего в отрасли зазора между кристаллами памяти — 7 мкм, а также устранил пустоты между слоями. В результате, плотность вертикальной компоновки увеличилась более чем на 20% по сравнению с 8-слойными стеками HBM3.
Еще одна особенность анонсированных чипов — применение между слоями памяти контактных выступов разного размера. Небольшие выступы предназначены для передачи сигналов, тогда как более крупные способствуют улучшению отвода тепла. Данная особенность позволяет не только повысить эффективность, но и увеличить показатель выхода годной продукции. Таким образом, могут быть снижены общие производственные затраты. Samsung также заявляет, что применение памяти HBM3E 12H DRAM по сравнению с 8-слойными изделиями помогает поднять скорость обучения ИИ-моделей на 34%, тогда как количество одновременно обслуживаемых пользователей возрастает в 11,5 раза.[1]
