MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом)

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология цифровой памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т. е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.